Toshiba stellt in Japan eine 300-mm-Waferfertigungsanlage für Leistungshalbleiter fertig und markiert damit Phase 1 eines mehrjährigen Investitionsprogramms. Toshiba completes 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors in Japan, marking Phase 1 of a multi-year investment program.

Toshiba hat bei der Kaga Toshiba Electronics Corporation in Japan eine neue 300-mm-Waferfertigungsanlage für Leistungshalbleiter fertiggestellt. Toshiba has completed a new 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors at Kaga Toshiba Electronics Corporation in Japan. Dieser Meilenstein markiert den Beginn von Phase 1 des mehrjährigen Investitionsprogramms von Toshiba. This milestone marks the start of Phase 1 of Toshiba's multi-year investment program. Die Anlage verfügt über eine erdbebensichere Struktur sowie redundante Stromquellen und wird mit erneuerbarer Energie betrieben. The facility features a seismic isolation structure, redundant power sources, and will be powered by renewable energy. Die Massenproduktion soll in der zweiten Hälfte des Geschäftsjahres 2024 beginnen, wodurch sich Toshibas Produktionskapazität für Leistungshalbleiter im Vergleich zum Geschäftsjahr 2021 um das 2,5-fache erhöht. Mass production is expected to begin in the second half of fiscal year 2024, increasing Toshiba's power semiconductor production capacity by 2.5 times compared to fiscal 2021.