Shin-Etsu Chemical entwickelt 300-mm-GaN-Substrat für verbesserte Halbleiterleistung.
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. wird ein QSTTM-Substrat entwickeln, das für 300 mm Galliumnitrid (GaN)-Anwendungen ausgelegt ist. Diese Innovation zielt darauf ab, die Leistung und Effizienz von Halbleiterbauelementen zu verbessern, was das Engagement des Unternehmens für die Weiterentwicklung der Technologie im Halbleitersektor widerspiegelt.
September 05, 2024
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