Shin-Etsu Chemical entwickelt 300-mm-GaN-Substrat für verbesserte Halbleiterleistung. Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. wird ein QSTTM-Substrat entwickeln, das für 300 mm Galliumnitrid (GaN)-Anwendungen ausgelegt ist. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. Diese Innovation zielt darauf ab, die Leistung und Effizienz von Halbleiterbauelementen zu verbessern, was das Engagement des Unternehmens für die Weiterentwicklung der Technologie im Halbleitersektor widerspiegelt. This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.