Indien errichtet erste SiC-Fertigungsanlage in Odisha von RIR Power Electronics, investiert Rs 620 Crores und schafft 500 Arbeitsplätze. India establishes first SiC manufacturing facility in Odisha by RIR Power Electronics, investing Rs 620 crores and creating 500 jobs.

Indien errichtet seine erste Silicon Carbide (SiC) Produktionsstätte in Odisha, die von RIR Power Electronics Ltd. geleitet wird. India is establishing its first Silicon Carbide (SiC) manufacturing facility in Odisha, spearheaded by RIR Power Electronics Ltd. Das Projekt, mit einer Investition von etwa Rs 620 Crores, zielt darauf ab, über 500 Arbeitsplätze zu schaffen und die lokale Halbleiterindustrie zu verbessern. The project, with an investment of about Rs 620 crores, aims to create over 500 jobs and enhance the local semiconductor industry. Diese Initiative steht im Einklang mit dem Ziel Indiens, sich in der Halbleiterproduktion selbstständig zu machen, und wird das Wirtschaftswachstum und die Innovation in der Region ankurbeln. This initiative aligns with India's goal of becoming self-reliant in semiconductor production and is expected to spur economic growth and innovation in the region.

September 06, 2024

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