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flag STMicroelectronics bringt die 4th-gen SiC MOSFET-Technologie für EV-Traktions-Wechselrichter auf den Markt, die auf Energieeffizienz, Dichte und Robustheit ausgerichtet ist.

flag STMicroelectronics hat seine Siliziumcarbid (SiC) MOSFET-Technologie der vierten Generation auf den Markt gebracht, die auf die Verbesserung von Energieeffizienz, Dichte und Robustheit von EV-Traktions-Wechselrichtern abzielt. flag Die 750V-Klasse ist qualifiziert, mit 1200V bis zum Q1 2025 erwartet. flag Die Technologie unterstützt auch hochleistungsfähige industrielle Anwendungen, verbessert die Leistung und reduziert das Gewicht in EVs. flag ST plant weitere Innovationen bis 2027, um die Massenannahme von Elektromobilität und Nachhaltigkeit voranzutreiben.

Vor 9 Monaten
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