STMicroelectronics bringt die 4th-gen SiC MOSFET-Technologie für EV-Traktions-Wechselrichter auf den Markt, die auf Energieeffizienz, Dichte und Robustheit ausgerichtet ist. STMicroelectronics launches 4th-gen SiC MOSFET tech for EV traction inverters, targeting power efficiency, density, and robustness.

STMicroelectronics hat seine Siliziumcarbid (SiC) MOSFET-Technologie der vierten Generation auf den Markt gebracht, die auf die Verbesserung von Energieeffizienz, Dichte und Robustheit von EV-Traktions-Wechselrichtern abzielt. STMicroelectronics has launched its fourth-generation silicon carbide (SiC) MOSFET technology, aimed at improving power efficiency, density, and robustness for electric vehicle (EV) traction inverters. Die 750V-Klasse ist qualifiziert, mit 1200V bis zum Q1 2025 erwartet. The 750V class is qualified, with 1200V expected by Q1 2025. Die Technologie unterstützt auch hochleistungsfähige industrielle Anwendungen, verbessert die Leistung und reduziert das Gewicht in EVs. The technology also supports high-power industrial applications, enhancing performance and reducing weight in EVs. ST plant weitere Innovationen bis 2027, um die Massenannahme von Elektromobilität und Nachhaltigkeit voranzutreiben. ST plans further innovations through 2027 to drive mass adoption of electric mobility and sustainability.

September 24, 2024

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