STMicroelectronics bringt die 4th-gen SiC MOSFET-Technologie für EV-Traktions-Wechselrichter auf den Markt, die auf Energieeffizienz, Dichte und Robustheit ausgerichtet ist.
STMicroelectronics hat seine Siliziumcarbid (SiC) MOSFET-Technologie der vierten Generation auf den Markt gebracht, die auf die Verbesserung von Energieeffizienz, Dichte und Robustheit von EV-Traktions-Wechselrichtern abzielt. Die 750V-Klasse ist qualifiziert, mit 1200V bis zum Q1 2025 erwartet. Die Technologie unterstützt auch hochleistungsfähige industrielle Anwendungen, verbessert die Leistung und reduziert das Gewicht in EVs. ST plant weitere Innovationen bis 2027, um die Massenannahme von Elektromobilität und Nachhaltigkeit voranzutreiben.
September 24, 2024
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