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Raytheon, ein DARPA-Vertragsnehmer, entwickelt ultrabreite Bandgap-Halbleiter für verbesserte Radar- und Kommunikationssysteme in militärischen Anwendungen.
Raytheon, eine Tochtergesellschaft von RTX, hat von DARPA einen dreijährigen Vertrag zur Entwicklung ultrabreiter Bandgap-Halbleiter mit Diamant- und Aluminiumnitrid erhalten.
Ziel dieses Projekts ist es, die Energieversorgung und das thermische Management von Sensoren und elektronischen Geräten zu verbessern.
Es umfasst zwei Phasen: erstens die Erstellung von Halbleiterfilmen und zweitens die Optimierung für größere Wafer.
Ziel ist es, Radar- und Kommunikationssysteme für fortgeschrittene militärische Anwendungen zu verbessern.
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Raytheon, a DARPA contractor, is developing ultra-wide bandgap semiconductors for improved radar and communication systems in military applications.