2024 IEDM: Kioxia zeigt OCTRAM, Crosspoint MRAM mit hoher Kapazität und fortschrittlichen 3D-Flash-Speicher. 2024 IEDM: Kioxia showcases OCTRAM, high-capacity Crosspoint MRAM, and advanced 3D flash memory.

Die Kioxia Corporation wird ihre neuesten Halbleiterspeichertechnologien auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 in San Francisco vorstellen. Kioxia Corporation will present its latest semiconductor memory technologies at the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 in San Francisco. Zu den wichtigsten Innovationen gehören Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) für reduzierten Stromverbrauch, hochleistungsfähiges Crosspoint MRAM für verbesserte KI-Verarbeitung und fortschrittlicher 3D-Flash-Speicher für verbesserte Zuverlässigkeit und Performance. Key innovations include Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) for reduced power consumption, high-capacity Crosspoint MRAM for enhanced AI processing, and advanced 3D flash memory for improved reliability and performance. Kioxia zielt darauf ab, Fortschritte in der Datenspeicherung zu fördern, um die digitale Transformation und KI zu unterstützen. Kioxia aims to drive advancements in data storage to support digital transformation and AI.