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2024 IEDM: Kioxia zeigt OCTRAM, Crosspoint MRAM mit hoher Kapazität und fortschrittlichen 3D-Flash-Speicher.
Die Kioxia Corporation wird ihre neuesten Halbleiterspeichertechnologien auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 in San Francisco vorstellen.
Zu den wichtigsten Innovationen gehören Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) für reduzierten Stromverbrauch, hochleistungsfähiges Crosspoint MRAM für verbesserte KI-Verarbeitung und fortschrittlicher 3D-Flash-Speicher für verbesserte Zuverlässigkeit und Performance.
Kioxia zielt darauf ab, Fortschritte in der Datenspeicherung zu fördern, um die digitale Transformation und KI zu unterstützen.
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