University of Michigan leitet ein $7,5 Millionen Projekt zur Entwicklung fortschrittlicher hitzebeständiger Siliziumkarbid-Halbleiter. University of Michigan leads a $7.5 million project to develop advanced heat-resistant silicon carbide semiconductors.

Die University of Michigan leitet ein $7,5 Millionen Projekt zur Entwicklung von hitzebeständigen Siliziumcarbid (SiC) Halbleitern, mit anfänglicher Finanzierung von $ 2,4 Millionen. The University of Michigan leads a $7.5 million project to develop heat-resistant silicon carbide (SiC) semiconductors, with initial funding of $2.4 million. Die Initiative zielt darauf ab, die Technologie der NASA zu skalieren und SiC-Chip-Design leichter zugänglich zu machen und Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Verteidigung, erneuerbaren Energien und Elektrofahrzeugen voranzutreiben. The initiative aims to scale up NASA's technology, making SiC chip design more accessible and advancing applications in aerospace, defense, renewable energy, and electric vehicles. Zu den wichtigsten Partnern zählen NASA, GE Aerospace, Ozark Integrated Circuits und Wolfspeed. Key partners include NASA, GE Aerospace, Ozark Integrated Circuits, and Wolfspeed.