Forscher in China enthüllen PoX, eine Flash-Memory-Technologie 10.000-mal schneller als aktuelle Optionen. Researchers in China unveil PoX, a flash memory tech 10,000 times faster than current options.

Forscher an der Fudan Universität in China haben eine neue Flash-Speichertechnologie namens PoX entwickelt, die Daten mit einer beispiellosen Geschwindigkeit von einem Bit pro 400 Pikosekunden speichern kann. Researchers at Fudan University in China have created a new flash memory technology called PoX, which can store data at an unprecedented speed of one bit per 400 picoseconds. Dieser nicht-flüchtige Speicher, der Daten ohne Strom speichern kann, ist etwa 10.000 Mal schneller als der aktuelle Flash-Speicher und übertrifft die traditionellen flüchtigen Speichertypen wie SRAM und DRAM deutlich. This non-volatile memory, capable of retaining data without power, is about 10,000 times faster than current flash memory and significantly outperforms traditional volatile memory types like SRAM and DRAM. Die Innovation könnte Speicherlösungen in KI-Systemen und Unterhaltungselektronik revolutionieren und somit einen schnelleren Betrieb und geringeren Stromverbrauch bieten. The innovation could potentially revolutionize storage solutions in AI systems and consumer electronics, offering faster operation and lower power consumption.