Toshiba bringt kompakte, effiziente 650V SiC MOSFETs auf den Markt, die die Leistungsdichte für industrielle Anwendungen erhöhen. Toshiba launches compact, efficient 650V SiC MOSFETs, boosting power density for industrial uses.

Toshiba hat vier neue 650V Siliziumcarbid (SiC) MOSFETs in einem kompakten DFN8x8 Paket eingeführt, wodurch das Gerätevolumen im Vergleich zu älteren Modellen um über 90% reduziert wird. Toshiba has introduced four new 650V silicon carbide (SiC) MOSFETs in a compact DFN8x8 package, reducing device volume by over 90% compared to older models. Diese MOSFETs, geeignet für industrielle Anwendungen wie Netzteile und Photovoltaik-Generatoren, reduzieren die Schaltverluste deutlich und verbessern die Leistungsdichte. These MOSFETs, suitable for industrial uses like power supplies and photovoltaic generators, significantly cut switching losses and improve power density. Toshiba zielt darauf ab, die Effizienz und Leistungsfähigkeit der Ausrüstung mit diesen Fortschritten zu erhöhen. Toshiba aims to enhance equipment efficiency and power capacity with these advancements.