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Indien hat am 1. November 2025 sein erstes Siliziumcarbid-Chipwerk in Bhubaneswar ins Leben gerufen, um die inländische Halbleiterproduktion zu steigern.
November 2025 begann Indien mit dem Bau seines ersten integrierten Siliziumkarbid-Halbleiter-Produktionswerks in Bhubaneswar (Odisha) und markierte damit einen wichtigen Schritt in Richtung Selbstständigkeit in der Chipproduktion.
Das Projekt unter der Leitung von SiCSem Pvt.
Ltd. mit einer Investitionssumme von 2.067 Crore, zielt darauf ab, jährlich 60.000 SiC-Wafer zu produzieren und bis 2027-2028 96 Millionen Einheiten zu verpacken.
Es unterstützt kritische Sektoren wie Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Rechenzentren und wird voraussichtlich rund 5.000 Arbeitsplätze schaffen.
Die Anlage ist Teil der nationalen Bemühungen, die Abhängigkeit von importierten Chips zu verringern und Indiens Halbleiterökosystem zu stärken, unterstützt durch staatliche Initiativen, darunter ein Forschungszentrum am IIT Bhubaneswar und ein eigenes Halbleiterlabor.
India launched its first silicon carbide chip plant in Bhubaneswar on Nov. 1, 2025, to boost domestic semiconductor production.