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Indien stellte bei ESTIC 2025 vier Zoll SiC-Wafer und 150W GaN-Transistoren vor, wobei PM Modi einen Rs 1 lakh crore R&D-Fonds auf den Markt brachte.
Indiens DRDO präsentierte auf der ESTIC 2025 in Neu-Delhi Fortschritte in der Halbleiterherstellung, wobei die einheimische Entwicklung von 4-Zoll-Silizium-Carbid-Wafern und 150W Gallium-Nitrid-Transistoren hervorgehoben wurde.
Die Veranstaltung, unter dem Motto "Viksit Bharat 2047", wurde von Premierminister Narendra Modi eröffnet, der einen Rs 1 lakh crore Forschungs- und Entwicklungsfonds zur Förderung der Innovation des privaten Sektors ins Leben rief.
Über 3.000 Teilnehmer, darunter Wissenschaftler und Branchenführer, diskutierten Fortschritte in den Bereichen KI, Quantenwissenschaft, Raumfahrttechnik und nachhaltige Energie.
India unveiled homegrown 4-inch SiC wafers and 150W GaN transistors at ESTIC 2025, with PM Modi launching a Rs 1 lakh crore R&D fund.