Chinesische Wissenschaftler entwickelten einen ultraeffizienten Chip mit einem 1-nm-Ferroelektrischen Material, das eine schnelle, stromarme KI-Verarbeitung auf Geräten ermöglicht. Chinese scientists created a ultra-efficient chip using a 1-nm ferroelectric material, enabling fast, low-power AI processing on devices.

Chinesische Wissenschaftler an der Peking University haben einen Hochleistungs-Computing-in-Memory-Chip mit einem neuartigen ferroelektrischen Material entwickelt, das ultradünne, gleichmäßige Filme mit nur 1 Nanometer Dicke erzeugt, die starke Speichereigenschaften behalten. Chinese scientists at Peking University have developed a high-performance computing-in-memory chip using a novel ferroelectric material, creating ultrathin, uniform films just 1 nanometer thick that maintain strong memory properties. Das Gerät arbeitet mit 0,8 Volt, schreibt Daten in 20 Nanosekunden und überlebt mehr als 1,5 Billionen Umschreibenzyklen – übertrifft die aktuellen Standards. The device operates at 0.8 volts, writes data in 20 nanoseconds, and survives over 1.5 trillion rewrite cycles—exceeding current standards. Durch die Integration von Speicher und Verarbeitung in einer Einheit reduziert es den Energieverbrauch und beschleunigt die Berechnung, mit Kompatibilität für die bestehende Halbleiterherstellung. By integrating memory and processing in one unit, it reduces energy use and speeds up computation, with compatibility for existing semiconductor manufacturing. Der in Science veröffentlichte Durchbruch könnte eine leistungsstarke KI-Verarbeitung auf alltäglichen Geräten wie Smartphones und Geräten ermöglichen und so die Abhängigkeit von Cloud Computing reduzieren. The breakthrough, published in Science, could enable powerful AI processing on everyday devices like smartphones and appliances, cutting reliance on cloud computing.