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China fordert nationale Anstrengungen zur Entwicklung fortgeschrittener Lithographie bis 2030 inmitten von US-Tech-Einschränkungen auf.
Chinesische Halbleiterführer drängen auf eine einheitliche nationale Anstrengung, bis 2030 fortschrittliche Lithografiesysteme zu entwickeln, um eine inländische Alternative zu ASML zu schaffen.
Sie zitieren US-Beschränkungen auf Chiptechnologie, Fragmentierung in der chinesischen Industrie sowie Lücken in der EUV-Lithographie, EDA-Software und kritischen Materialien als zentrale Herausforderungen.
Zwar wurden Fortschritte bei den einzelnen Komponenten erzielt, doch bleibt die Integration eine Hürde.
Der Aufruf stimmt mit dem Drang Chinas nach technologischer Eigenständigkeit überein, wobei die Unterstützung der Regierung für die Forschungskoordination und Forschungs- und Entwicklungsplattformen betont wird.
China urges national effort to develop advanced lithography by 2030 amid U.S. tech restrictions.