Para Light stellt neue SiC-MOSFETs mit verbesserter thermischer Stabilität und Effizienz für Rechenzentren und industriellen Einsatz auf den Markt. Para Light launches new SiC MOSFETs with improved thermal stability and efficiency for data centers and industrial use.

Para Light hat seine ThermaFlat SiC MOSFETs auf den Markt gebracht, die eine bahnbrechende thermische Leistung mit einem stabilen Einsetzungswiderstand von -25 ° C bis + 125 ° C bieten. Para Light has launched its ThermaFlat SiC MOSFETs, claiming breakthrough thermal performance with stable on-resistance from -25°C to +125°C. Die 650V- und 1200V-Modelle weisen eine minimale Widerstandssteigerung auf, was den Kühlbedarf verringert und die Effizienz erhöht. The 650V and 1200V models show minimal resistance increase, reducing cooling needs and boosting efficiency. Mit einem Kelvin-Quellstift in einer TO-247-4 Packung reduzierten sie die Schaltverluste um bis zu 35%. Using a Kelvin source pin in a TO-247-4 package, they cut switching losses by up to 35%. Die neuen Geräte, die auf Stromversorgungen für Rechenzentren, industrielle Antriebe und USV-Systeme ausgerichtet sind, markieren den Eintritt von Para Light® in den SiC MOSFET-Markt mit dem Ziel, einen neuen Standard für Zuverlässigkeit und Effizienz der Leistungselektronik zu setzen. Targeted at data center power supplies, industrial drives, and UPS systems, the new devices mark Para Light’s entry into the SiC MOSFET market, aiming to set a new standard for power electronics reliability and efficiency.